5秒后页面跳转
M29F200B-90XN6TR PDF预览

M29F200B-90XN6TR

更新时间: 2024-11-10 14:26:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
256KX8 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

M29F200B-90XN6TR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:12 X 20 MM, TSOP-48针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.23
Is Samacsys:N最长访问时间:90 ns
备用内存宽度:16启动块:BOTTOM
JESD-30 代码:R-PDSO-G48长度:18.4 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:48字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

M29F200B-90XN6TR 数据手册

 浏览型号M29F200B-90XN6TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M29F200B-90XN6TR的Datasheet PDF文件第3页 

与M29F200B-90XN6TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F200BB STMICROELECTRONICS

获取价格

2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BB MICRON

获取价格

2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory
M29F200BB45M1 NUMONYX

获取价格

128KX16 FLASH 5V PROM, 45ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB45M1E NUMONYX

获取价格

Flash, 128KX16, 45ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB45M1F NUMONYX

获取价格

128KX16 FLASH 5V PROM, 45ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB45M1T STMICROELECTRONICS

获取价格

2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BB45M3E NUMONYX

获取价格

Flash, 128KX16, 45ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB45M3F STMICROELECTRONICS

获取价格

128KX16 FLASH 5V PROM, 45ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB45M3T STMICROELECTRONICS

获取价格

2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BB45M6 NUMONYX

获取价格

Flash, 128KX16, 45ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44