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M29F040-120XN1RTR

更新时间： 2024-11-08 20:50:59

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
2页	39K
描述
512KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32

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M29F040-120XN1RTR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1-R, TSSOP32,.8,20	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.32
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	100000 ERASE/PROGRAM CYCLES; 20 YEARS DATA RETENTION; BLOCK ERASE; BYTE PROGRAMMABLE
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	8
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M29F040-120XN1RTR 数据手册

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