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M29F040-120XN5RTR

更新时间: 2024-11-22 20:50:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
512KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32

M29F040-120XN5RTR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1-R, TSSOP32,.8,20针数:32
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.32
最长访问时间:120 ns其他特性:100000 ERASE/PROGRAM CYCLES; 20 YEARS DATA RETENTION; BLOCK ERASE; BYTE PROGRAMMABLE
命令用户界面:YES数据轮询:YES
数据保留时间-最小值:20耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:8
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-20 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:64K最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:8 mm
Base Number Matches:1

M29F040-120XN5RTR 数据手册

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