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M29F002NT-70P1

更新时间： 2024-02-18 12:13:03
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 233K
描述
256KX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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M29F002NT-70P1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP32,.6
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.28最长访问时间：70 ns
其他特性：20 YEARS DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; TOP BOOT BLOCK启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：20耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDIP-T32JESD-609代码：e0
长度：41.91 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

M29F002NT-70P1 数据手册

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M29F002T, M29F002NT, M29F002B  
Table 9. Status Register Bits  
DQ  
Name  
Logic Level  
Definition  
Note  
Erase Complete or erase  
block in Erase Suspend  
’1’  
’0’  
Indicates the P/E.C. status, check during  
Program or Erase, and on completion  
before checking bits DQ5 for Program or  
Erase Success.  
Erase On-going  
Data  
Polling  
7
Program Complete or data  
of non erase block during  
Erase Suspend  
DQ  
DQ  
Program On-going  
’-1-0-1-0-1-0-1-’ Erase or Program On-going  
Successive reads output complementary  
data on DQ6 while Programming or Erase  
operations are on-going. DQ6 remains at  
constant level when P/E.C. operations are  
completed or Erase Suspend is  
DQ  
Program Complete  
6
Toggle Bit  
Erase Complete or Erase  
’-1-1-1-1-1-1-1-’ Suspend on currently  
addressed block  
acknowledged.  
’1’  
’0’  
Program or Erase Error  
This bit is set to ’1’ in the case of  
Programming or Erase failure.  
5
4
Error Bit  
Program or Erase On-going  
Reserved  
P/E.C. Erase operation has started. Only  
possible command entry is Erase  
Suspend (ES).  
’1’  
’0’  
Erase Timeout Period Expired  
Erase  
Time Bit  
3
Erase Timeout Period  
On-going  
An additional block to be erased in parallel  
can be entered to the P/E.C.  
Chip Erase, Erase or Erase  
Suspend on the currently  
addressed block.  
Erase Error due to the  
currently addressed block  
(when DQ5 = ’1’).  
’-1-0-1-0-1-0-1-’  
Indicates the erase status and allows to  
identify the erased block  
2
Toggle Bit  
Program on-going, Erase  
on-going on another block or  
Erase Complete  
1
Erase Suspend read on  
non Erase Suspend block  
DQ  
1
0
Reserved  
Reserved  
Notes: Logic level ’1’ is High, ’0’ is Low. -0-1-0-0-0-1-1-1-0- represent bit value in successive Read operations.  
Data Polling Bit (DQ7). When Programming op-  
erations are in progress, this bit outputs the com-  
plement of the bit being programmed on DQ7.  
During Erase operation, it outputs a ’0’. After com-  
pletion of the operation, DQ7 will output the bit last  
programmed or a ’1’ after erasing. Data Polling is  
valid and only effective during P/E.C.operation, that  
is after the fourth W pulse for programming or after  
the sixth W pulse for erase. It must be performed at  
the address being programmed or at an address  
within the block being erased. If all the blocks se-  
lected for erasure are protected, DQ7 will be set to  
’0’ for about 100µs, and then return to the previous  
addressed memory data value.  
9/29  
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