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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.28 | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | 20 YEARS DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; TOP BOOT BLOCK | 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | YES |
| 数据保留时间-最小值： | 20 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 41.91 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 1,2,1,3 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 部门规模： | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M29F002NT-70P1TR | STMICROELECTRONICS | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory |
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| M29F002NT-70P6TR | STMICROELECTRONICS | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory |
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| M29F002NT-70XK1TR | STMICROELECTRONICS | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory |
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| M29F002NT-70XK6TR | STMICROELECTRONICS | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory |
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| M29F002NT-70XN1TR | STMICROELECTRONICS | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory |
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| M29F002NT-70XN6TR | STMICROELECTRONICS | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory |
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