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M28F256-10XB1TR

更新时间: 2024-11-05 22:55:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
20页 717K
描述
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY

M28F256-10XB1TR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.79
最长访问时间:100 ns其他特性:BULK ERASE
JESD-30 代码:R-PDIP-T32长度:41.91 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
编程电压:12 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

M28F256-10XB1TR 数据手册

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