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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
闪存 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 20页 | 717K |  |
| 描述 | ||
| 256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.79 |
| 最长访问时间： | 150 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| 长度： | 41.91 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M28F256-15XB6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-15XC112 | STMICROELECTRONICS |
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32KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
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| M28F256-15XC1TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-15XC3TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-15XC6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-15XF113 | STMICROELECTRONICS |
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32KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32 |
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| M28F256-15XF114 | STMICROELECTRONICS |
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32KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32 |
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| M28F256-15XF314 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
32KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32 |
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| M28F256-20B1TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-20B314 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
32KX8 FLASH 12V PROM, 200ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
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