5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.51 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 33 MHz | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 5.3 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.03 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 5.25 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M25PE80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory with Byte-Alterability, 50MHz SPI B |
|
| M25PE80 | NUMONYX |
获取价格 |
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard |
|
| M25PE80-VMN6G | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with Byte alterability, 50MHz SPI b |
|
| M25PE80-VMN6G | NUMONYX |
获取价格 |
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard |
|
| M25PE80-VMN6P | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with Byte alterability, 50MHz SPI b |
|
| M25PE80-VMN6P | NUMONYX |
获取价格 |
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard |
|
| M25PE80-VMN6P | MICRON |
获取价格 |
8Mb, Page-Erasable, Serial NOR Flash Memory with Byte Alterability, 75 MHz Serial Peripher |
|
| M25PE80-VMN6TG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with Byte alterability, 50MHz SPI b |
|
| M25PE80-VMN6TG | NUMONYX |
获取价格 |
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard |
|
| M25PE80-VMN6TP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with Byte alterability, 50MHz SPI b |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
