5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | HVSON, SOLCC8,.25 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.47 | Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 50 MHz | 数据保留时间-最小值： | 20 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-XDSO-N8 |
| 长度： | 6 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | HVSON |
| 封装等效代码： | SOLCC8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 5 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 23 ms |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M25PE80-VMP6P | NUMONYX |
获取价格 |
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard |
|
| M25PE80-VMP6P | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory with Byte-Alterability, 50MHz SPI B |
|
| M25PE80-VMP6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory with Byte-Alterability, 50MHz SPI B |
|
| M25PE80-VMP6TG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory with Byte-Alterability, 50MHz SPI B |
|
| M25PE80-VMP6TG | NUMONYX |
获取价格 |
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard |
|
| M25PE80-VMP6TG | MICRON |
获取价格 |
8Mb, Page-Erasable, Serial NOR Flash Memory with Byte Alterability, 75 MHz Serial Peripher |
|
| M25PE80-VMP6TP | NUMONYX |
获取价格 |
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard |
|
| M25PE80-VMP6TP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory with Byte-Alterability, 50MHz SPI B |
|
| M25PE80-VMS6G | NUMONYX |
获取价格 |
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard |
|
| M25PE80-VMS6P | NUMONYX |
获取价格 |
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
