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M24C04-DRDW8TP/K

更新时间: 2024-11-01 17:33:15
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
41页 1199K
描述
4 Kbit串行I2C总线EEPROM,105°C工作温度

M24C04-DRDW8TP/K 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:TSSOP, TSSOP8,.25Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:5.8最大时钟频率 (fCLK):1 MHz
数据保留时间-最小值:50耐久性:900000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDMRJESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:4.4 mm内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:512 words字数代码:512
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:105 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2/5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:1.2 mm串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.000001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.002 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:3 mm
最长写入周期时间 (tWC):4 ms写保护:HARDWARE
Base Number Matches:1

M24C04-DRDW8TP/K 数据手册

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M24C04-DRE  
4-Kbit serial I²C bus EEPROM - 105°C operation  
Datasheet - production data  
Features  
2
Compatible with all I C bus modes  
– 1 MHz  
– 400 kHz  
– 100 kHz  
Memory array  
– 4 Kbits (512 bytes) of EEPROM  
TSSOP8 (DW)  
169 mil width  
– Page size: 16 bytes  
– Additional Write lockable page  
(Identification page)  
Extended temperature and voltage range  
– -40 °C to 105 °C; 1.8 V to 5.5 V  
Schmitt trigger inputs for noise filtering  
Short Write cycle time  
– Byte Write within 4 ms  
– Page Write within 4 ms  
SO8 (MN)  
150 mil width  
Write cycle endurance  
– 4 million Write cycles at 25 °C  
– 1.2 million Write cycles at 85 °C  
– 900 k Write cycles at 105 °C  
WFDFPN8 (MF)  
2 x 3 mm  
Data retention  
– more than 50 years at 105 °C  
– 200 years at 55 °C  
ESD Protection (Human Body Model)  
– 4000 V  
Packages  
– RoHS compliant and halogen-free  
®
(ECOPACK2 )  
January 2015  
DocID027421 Rev 1  
1/41  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
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