Datasheet > M13S64164A-4TVAG2Y

M13S64164A-4TVAG2Y

更新时间： 2024-01-08 07:39:19

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	1219K
描述
DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M13S64164A-4TVAG2Y 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	TSOP2,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

M13S64164A-4TVAG2Y 数据手册

浏览型号M13S64164A-4TVAG2Y的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号M13S64164A-4TVAG2Y的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号M13S64164A-4TVAG2Y的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号M13S64164A-4TVAG2Y的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号M13S64164A-4TVAG2Y的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号M13S64164A-4TVAG2Y的Datasheet PDF文件第7页

ESMT

DDR SDRAM

Features

M13S64164A (2Y)

Automotive Grade

1M x 16 Bit x 4 Banks

Double Data Rate SDRAM

Double-data-rate architecture, two data transfers per clock cycle

Bi-directional data strobe (DQS)

Differential clock inputs (CLK and CLK )

DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

Four bank operation

CAS Latency : 2, 2.5, 3

Burst Type : Sequential and Interleave

Burst Length : 2, 4, 8

All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock (CLK)

Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

DQS is edge-aligned with data for READs; center-aligned with data for WRITEs

Data mask (DM) for write masking only

V_DD= 2.5V ± 0.2V, V_DDQ= 2.5V ± 0.2V

15.6us refresh interval for V grade; 3.9us refresh interval for VA grade

Auto & Self refresh (self refresh is not supported for VA grade)

2.5V I/O (SSTL_2 compatible)

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Oct. 2012

Revision : 1.0 1/49

12 3 4 5 6 7...49

中文翻译

下载PDF

与M13S64164A-4TVAG2Y相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M13S64164A-4TVG2Y	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-
M13S64164A-5BG	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-5BG2Y	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
M13S64164A-5BIG	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-5TG	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-5TIG	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-6BG	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-6BIG	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-6BVAG2Y	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
M13S64164A-6BVG2Y	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

与M13S64164A-4TVAG2Y相关文章

LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
2024-06-14

16
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
2024-06-14

21
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-14

13
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
2024-06-14

19

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M13S64164A-4TVAG2Y

M13S64164A-4TVAG2Y 技术参数

M13S64164A-4TVAG2Y 数据手册

与M13S64164A-4TVAG2Y相关器件

与M13S64164A-4TVAG2Y相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M13S64164A-4TVAG2Y

M13S64164A-4TVAG2Y 技术参数

M13S64164A-4TVAG2Y 数据手册

与M13S64164A-4TVAG2Y相关器件

与M13S64164A-4TVAG2Y相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？