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M13S64164A-5BIG

更新时间： 2024-01-08 09:02:20

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晶豪 - ESMT		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
49页	1546K
描述
1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

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M13S64164A-5BIG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.1	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

M13S64164A-5BIG 数据手册

ESMT

M13S64164A

Operation Temperature Condition -40°C~85°C

DDR SDRAM

1M x 16 Bit x 4 Banks

Double Data Rate SDRAM

Features

JEDEC Standard

Internal pipelined double-data-rate architecture, two data access per clock cycle

Bi-directional data strobe (DQS)

On-chip DLL

Differential clock inputs (CLK and CLK )

DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

Quad bank operation

CAS Latency : 2, 2.5, 3

Burst Type : Sequential and Interleave

Burst Length : 2, 4, 8

All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)

Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

DQS is edge-aligned with data for reads; center-aligned with data for WRITE

Data mask (DM) for write masking only

For 2.5V parts, V_DD= 2.3V ~ 2.7V, V_DDQ= 2.3V ~ 2.7V

Auto & Self refresh

64ms refresh period, 4K cycle

SSTL-2 I/O interface

66pin TSOPII and 60 ball BGA package

Ordering information :

PRODUCT NO.

M13S64164A -5TIG

M13S64164A -6TIG

M13S64164A -5BIG

M13S64164A -6BIG

MAX FREQ

200MHz

166MHz

200MHz

166MHz

VDD

PACKAGE

COMMENTS

2.5V

66TSOPII

Pb-free

2.5V

BGA

Pb-free

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Mar. 2009

Revision : 1.0 1/49

12 3 4 5 6 7...49

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