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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, |
| 针数： | 66 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.1 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M13S64164A-5TIG | ESMT |
获取价格 |
1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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| M13S64164A-6BG | ESMT |
获取价格 |
1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
|
| M13S64164A-6BIG | ESMT |
获取价格 |
1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
|
| M13S64164A-6BVAG2Y | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
|
| M13S64164A-6BVG2Y | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
|
| M13S64164A-6TG | ESMT |
获取价格 |
1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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| M13S64164A-6TG2Y | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2- |
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| M13S64164A-6TIG | ESMT |
获取价格 |
1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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| M13S64164A-6TVG2Y | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2- |
|
| M13S64322A | ESMT |
获取价格 |
512K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM |
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