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M13S64164A-6BG

更新时间: 2024-01-22 18:18:32
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
49页 1507K
描述
1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

M13S64164A-6BG 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:66
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.1
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G66长度:22.22 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:66
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

M13S64164A-6BG 数据手册

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ESMT  
Preliminary  
M13S64164A  
Revision History  
Revision 0.1 (23 Oct. 2006)  
- Original  
Revision 0.2 (06 Jun. 2007)  
- Add BGA type spec  
Revision 0.3 (20 Jul. 2007)  
- Modify BGA assignment  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jul. 2007  
Revision : 0.3  
1/49  

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