LY611024JL-15LL

更新时间： 2024-11-30 12:06:11

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台湾来扬 - LYONTEK		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
13页	269K
描述
128K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

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LY611024JL-15LL 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SOJ,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	15 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-J32	长度：	29.955 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
座面最大高度：	3.759 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

LY611024JL-15LL 数据手册

LY611024

128K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

Rev. 1.6

REVISION HISTORY

Revision Description

Issue Date

Jul.25.2004

Sep.21.2004

Apr.7.2005

Feb.2.2009

Rev. 1.0

Rev. 1.1

Rev. 1.2

Rev. 1.3

Initial Issue

Delete Icc1 Spec.

Add E/I grade

Revised V_TERMto V_T1and V_T2

Revised Test Condition of I_SB1/I_DR

Added LL Spec.

Rev. 1.4

Revised Test Condition of I_CC/I_SB

Apr.17.2009

FEATURES ORDERING INFORMATION

Lead

Revised

free and green package available to Green package available

ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS

Deleted T_SOLDERin

ORDERING INFORMATION

Added packing type in

Rev. 1.5

Rev. 1.6

May.7.2010

Aug.25.2010

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

Revised

in page 9/10

ORDERING INFORMATION

in page 11

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

in page 8

Lyontek Inc. ^{reserves the rights to change the specifications and products without notice.}

5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.

TEL: 886-3-6668838

FAX: 886-3-6668836

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