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LY611024LL-15I

更新时间: 2024-11-30 20:57:11
品牌 Logo 应用领域
台湾来扬 - LYONTEK 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 263K
描述
SRAM,

LY611024LL-15I 技术参数

生命周期:Active包装说明:TSOP1,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.8
最长访问时间:15 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:18.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

LY611024LL-15I 数据手册

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®
LY611024  
128K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM  
Rev. 1.6  
REVISION HISTORY  
Revision Description  
Issue Date  
Jul.25.2004  
Sep.21.2004  
Apr.7.2005  
Feb.2.2009  
Rev. 1.0  
Rev. 1.1  
Rev. 1.2  
Rev. 1.3  
Initial Issue  
Delete Icc1 Spec.  
Add E/I grade  
Revised VTERM to VT1 and VT2  
Revised Test Condition of ISB1/IDR  
Added LL Spec.  
Rev. 1.4  
Revised Test Condition of ICC/ISB  
Apr.17.2009  
FEATURES ORDERING INFORMATION  
Lead  
Revised  
&
free and green package available to Green package available  
ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS  
Deleted TSOLDER in  
ORDERING INFORMATION  
Added packing type in  
Rev. 1.5  
Rev. 1.6  
May.7.2010  
Aug.25.2010  
PACKAGE OUTLINE DIMENSION  
Revised  
Revised  
Revised  
in page 9/10  
ORDERING INFORMATION  
in page 11  
PACKAGE OUTLINE DIMENSION  
in page 8  
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.  
5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.  
TEL: 886-3-6668838  
FAX: 886-3-6668836  
0

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