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LY611024LL-12LLI

更新时间： 2024-11-30 12:06:11

品牌	Logo	应用领域
台湾来扬 - LYONTEK		静态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	269K
描述
128K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

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LY611024LL-12LLI 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TSOP1,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	18.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

LY611024LL-12LLI 数据手册

LY611024

128K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

Rev. 1.6

REVISION HISTORY

Revision Description

Issue Date

Jul.25.2004

Sep.21.2004

Apr.7.2005

Feb.2.2009

Rev. 1.0

Rev. 1.1

Rev. 1.2

Rev. 1.3

Initial Issue

Delete Icc1 Spec.

Add E/I grade

Revised V_TERMto V_T1and V_T2

Revised Test Condition of I_SB1/I_DR

Added LL Spec.

Rev. 1.4

Revised Test Condition of I_CC/I_SB

Apr.17.2009

FEATURES ORDERING INFORMATION

Lead

Revised

free and green package available to Green package available

ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS

Deleted T_SOLDERin

ORDERING INFORMATION

Added packing type in

Rev. 1.5

Rev. 1.6

May.7.2010

Aug.25.2010

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

Revised

in page 9/10

ORDERING INFORMATION

in page 11

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

in page 8

Lyontek Inc. ^{reserves the rights to change the specifications and products without notice.}

5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.

TEL: 886-3-6668838

FAX: 886-3-6668836

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