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LT1160IS#PBF

更新时间： 2024-11-13 13:09:31
品牌 Logo 应用领域
凌特 - Linear 驱动器
页数 文件大小 规格书
16页 350K
描述
LT1160 - Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers; Package: SO; Pins: 14; Temperature Range: -40°C to 85°C

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LT1160IS#PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP14,.25
针数：14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：7.62高边驱动器：YES
输入特性：SCHMITT TRIGGER接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e3
长度：8.65 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：14
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：TOTEM-POLE标称输出峰值电流：1.5 A
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：15 V
最小供电电压：10 V标称供电电压：12 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
断开时间：0.6 µs接通时间：0.5 µs
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

LT1160IS#PBF 数据手册

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LT1160/LT1162  
Half-/Full-Bridge  
N-Channel  
Power MOSFET Drivers  
U
FEATURES  
DESCRIPTION  
The LT®1160/LT1162 are cost effective half-/full-bridge  
N-channel power MOSFET drivers. The floating driver can  
drivethetopsideN-channelpowerMOSFETsoperatingoff  
a high voltage (HV) rail of up to 60V.  
■
Floating Top Driver Switches Up to 60V  
■
Drives Gate of Top N-Channel MOSFET  
above Load HV Supply  
■
180ns Transition Times Driving 10,000pF  
■
Adaptive Nonoverlapping Gate Drives Prevent  
The internal logic prevents the inputs from turning on the  
power MOSFETs in a half-bridge at the same time. Its  
unique adaptive protection against shoot-through cur-  
rents eliminates all matching requirements for the two  
MOSFETs. This greatly eases the design of high efficiency  
motor control and switching regulator systems.  
Shoot-Through  
■
Top Drive Protection at High Duty Cycles  
■
TTL/CMOS Input Levels  
■
Undervoltage Lockout with Hysteresis  
■
Operates at Supply Voltages from 10V to 15V  
■
Separate Top and Bottom Drive Pins  
Duringlowsupplyorstart-upconditions,theundervoltage  
lockout actively pulls the driver outputs low to prevent the  
power MOSFETs from being partially turned on. The 0.5V  
hysteresis allows reliable operation even with slowly vary-  
ing supplies.  
U
APPLICATIONS  
■
PWM of High Current Inductive Loads  
■
Half-Bridge and Full-Bridge Motor Control  
■
Synchronous Step-Down Switching Regulators  
TheLT1162isadualversionoftheLT1160andisavailable  
in a 24-pin PDIP or in a 24-pin SO Wide package.  
■
3-Phase Brushless Motor Drive  
■
High Current Transducer Drivers  
■
, LTC and LT are registered trademarks of Linear Technology Corporation.  
Class D Power Amplifiers  
U
TYPICAL APPLICATION  
1N4148  
HV = 60V MAX  
+
1000µF  
100V  
1
14  
13  
12  
11  
+
+
SV  
PV  
BOOST  
T GATE DR  
T GATE FB  
T SOURCE  
12V  
+
10  
10µF  
25V  
IRFZ44  
+
C
1µF  
BOOST  
4
UV OUT  
IN TOP  
LT1160  
B GATE DR  
2
3
9
8
IN TOP IN BOTTOM T GATE DR B GATE DR  
IRFZ44  
PWM  
0Hz TO 100kHz  
L
L
L
L
IN BOTTOM B GATE FB  
L
H
H
H
L
L
H
L
H
L
L
SGND  
5
PGND  
6
H
1160 TA01  
1
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LT1160IS#TR Linear

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