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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP20,.4 |
| 针数： | 20 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.22 | 高边驱动器： | YES |
| 输入特性： | GATED | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 12.8015 mm | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 4 | 端子数量： | 20 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出极性： | TRUE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP20,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 电源： | 12/48 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.642 mm |
| 子类别： | MOSFET Drivers | 最大压摆率： | 6.5 mA |
| 最大供电电压： | 48 V | 最小供电电压： | 12 V |
| 标称供电电压： | 24 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 断开时间： | 200 µs |
| 接通时间： | 400 µs | 宽度： | 7.49 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LT1161ISW#PBF | Linear |
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暂无描述 |
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| LT1161ISW#TR | Linear |
获取价格 |
LT1161 - Quad Protected High-Side MOSFET Driver; Package: SO; Pins: 20; Temperature Range: |
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| LT1161ISW#TRPBF | Linear |
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暂无描述 |
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| LT1161ISWPBF | Linear |
获取价格 |
暂无描述 |
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| LT1162 | Linear Systems |
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Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers |
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| LT1162 | Linear |
获取价格 |
Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers |
|
| LT1162 | ADI |
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半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器 |
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| LT1162_15 | Linear |
获取价格 |
Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers |
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| LT1162CN | Linear |
获取价格 |
Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers |
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| LT1162CN | Linear Systems |
获取价格 |
Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers |
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