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LSIC2SD120D20

更新时间： 2023-12-06 20:13:25

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力特 - LITTELFUSE		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
5页	566K
描述
? 点击此处索取样品此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，该二极管系列是理想

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LSIC2SD120D20 数据手册

GEN2 SiC Schottky Diode

LSIC2SD120D20, 1200 V, 20 A, TO-263-2L

Electrical Characteristics

Value

Typ.

1.5

Characteristics

Forward Voltage

Reverse Current

Symbol

Conditions

Min.

Unit

Max.

1.8

I_F= 20 A, T_J= 25 °C

I_F= 20 A, T_J= 175 °C

V_R= 1200 V, T_J= 25 °C

V_R= 1200 V, T_J= 175 °C

V_R= 1 V, f =1 MHz

V_F

I_R

2.2

100

μA

1142

108

Total Capacitance

V_R= 400 V, f = 1 MHz

V_R= 800 V, f = 1 MHz

V_R

Total Capacitive Charge

Q_C

V_R= 800 V, Q_c=∫ C(V)dV

115

Footnote: T_J= +25 °C unless otherwise speciﬁed

Thermal Characteristics

Value

Typ.

0.6

Characteristics

Symbol

Conditions

Unit

Min.

Max.

Thermal Resistance

°C/W

R_ƟJC

Figure 1:Typical Foward Characteristics

Figure 2:Typical Reverse Characteristics

1E-4

1E-5

1E-6

1E-7

1E-8

T_J= - 55 °C

T_J

= 25 °C

_J= 125 °C

T_J= 150 °C

T_J= 175 °C

T_J= 150 °C

T_J= 125 °C

T_J= 25 °C

-0.5

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

200

400

600

800

1000

1200

Forward Voltage (V)

Reverse Voltage, V (V)

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: 10/19/20

123 4 5

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