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LSIC1MO120G0080

更新时间： 2023-12-06 20:13:09
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 布线PC
页数 文件大小 规格书
10页 535K
描述
Littelfuse碳化硅MOSFET提供14A、18A、25A、50A和70A标称额定电流。 采用TO-247-4L封装，配有开尔文源极连接。 引脚排列不仅简化了PCB布线，而且开尔文源极连接还

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LSIC1MO120G0080  
1. Maximum Ratings  
Silicon Carbide MOSFET Datasheet  
Characteristic  
Sym bol  
Conditions  
Value  
1200  
Unit  
Drain-Source Voltage  
VDS  
VGS = 0 V  
V
VGS = 20 V, TC = 25 °C  
39  
Continuous Drain Current  
ID  
A
VGS = 20 V, TC = 100 °C  
25  
1
Pulsed Drain Current  
ID(pulse)  
PD  
TC = 25 °C  
80  
A
Power Dissipation  
TC = 25 °C, TJ = 175 °C  
214  
W
VGS,MAX  
Absolute maximum values Steady state  
-6 to +22  
-10 to +25  
-5 to +20  
-55 to +175  
-55 to +150  
260  
2
Gate-Source Voltage  
VGS,OP,TR  
Transient, ttransient < 1 % duty cycle  
V
3
VGS,OP  
Recommended DC operating values  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
-
-
-
°C  
°C  
TSTG  
Tsold  
Lead Temperature for Soldering  
°C  
1.0  
Nm  
in-lb  
Mounting Torque  
MD  
M3 or 6-32 screw  
8.8  
Footnote 1: Pulse width limited by TJ,MAX  
Footnote 2: See Figure 21 for further information  
Footnote 3: MOSFET can operate with VGS(OFF) = 0 V dependent upon PCB layout. VGS(OFF) = -5 V provides added noise margin and faster turn-off speed  
2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
Maximum Thermal Resistance, junction-to-case  
Maximum Thermal Resistance, junction-to-ambient  
Sym bol  
Rth,JC,MAX  
Rth,JA,MAX  
Value  
0.7  
Unit  
°C/W  
°C/W  
40  
3. Electrical Characteristics  
3.1. Static Characteristics (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
Value  
Characteristic  
Sym bol  
Conditions  
Unit  
Min  
Typ  
-
Max  
-
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
VGS = 0 V, ID = 100 µA  
VDS = 1200, VGS = 0 V  
1200  
V
-
1
100  
-
IDSS  
µA  
VDS = 1200 V, VGS = 0 V, TJ = 175 °C  
VGS = 22 V, VDS = 0 V  
-
2
IGSS,F  
IGSS,R  
-
-
100  
100  
100  
-
Gate Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Gate Threshold Voltage  
Gate Resistance  
nA  
VGS = -6 V, VDS = 0 V  
-
-
-
ID = 20 A, VGS = 20 V  
80  
120  
2.8  
1.8  
RDS(ON)  
VGS(TH)  
RG  
ID = 20 A, VGS = 20 V, TJ = 175 °C  
VDS = VGS, ID = 10 mA  
-
1.8  
-
4.0  
-
V
VDS = VGS, ID = 10 mA, TJ = 175 °C  
Resonance method, Drain-Source  
shorted1  
-
0.6  
-
Footnote 1: For a description of the resonance method for measuring RG, refer to the JEDEC Standard JESD24-11 test method  
3
Specifications are subject to change without notice.  
Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.  
© 2020 Littelfuse, Inc.  
Revised: 12/14/2020  
1234567...10

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