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LS14 PDF预览

LS14

更新时间： 2024-09-19 19:42:59
品牌 Logo 应用领域
固锝 - GOOD-ARK 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 185K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, SMAF, 2 PIN

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LS14 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

LS14 数据手册

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LS12 thru LS1CH  
Surface Mount Schottky Rectifier  
Reverse Voltage 20~200V Forward Current 1A  
Features  
• Schottky barrier diodes  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• Moisture sensitivity: level 1, per J-STD-020  
• Solder dip 260 °C, 10 s  
eSGB (SMAF)  
• Low profile， typical thickness 1.0mm  
• AEC-Q101 qualified  
Typical Applications  
ypical Applications  
For use of fast swiching in RF module, lighting, cellular phone, portable device,  
power supplies, and other consumer applications.  
Maximum Ratings (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
LS12 LS14 LS16 LS18 LS19 LS1B LS1BH LS1B5H LS1CH Unit  
Parameter  
Symbol  
Maximum repetitive peak reverse  
Maximum RMS voltage  
Maximum DC blocking voltage  
20  
14  
20  
40  
28  
40  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
90  
63  
90  
100  
70  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
100  
100  
Maximum average forward rectified  
current  
1.0  
30  
A
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms  
single half sine-wave superimposed on  
rated load  
A
IFSM  
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ,  
TSTG  
- 55 to + 150  
- 55 to + 175  
°C  
Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
LS12 LS14 LS16 LS18 LS19 LS1B LS1BH LS1B5H LS1CH Unit  
Test Conditions Symbol  
Parameter  
Maximum  
0.50  
0.81  
0.70  
0.90  
Volts  
mA  
instantaneous  
forward voltage  
Maximum DC  
reverse current at  
rated DC blocking  
voltage  
Typical junction  
capacitance  
Typical thermal  
resistance  
VF  
IR  
IF=1A, TA=25℃  
0.3  
TA=25℃  
TA=100℃  
10  
50  
19  
CJ  
pF  
4.0 V, 1 MHz  
1)  
℃/W  
juntion to lead  
RθJL  
Note1:Thermal resistance from junction to lead,mounted on PCB with 0.315×0.315〃（8.0×8.0mm）copper pads  
www.goodark.com  
1/4  
2014.03-Rev.A  
1234

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