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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP5/6,.08 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 0.94 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.00001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.00001 µA | 最小共模抑制比： | 77 dB |
| 标称共模抑制比： | 93 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 1000 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 2 mm |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | NO |
| 微功率： | YES | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP5/6,.08 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 包装方法： | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 功率： | NO |
| 电源： | +-1.35/+-2.75/2.7/5.5 V | 可编程功率： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.1 mm |
| 标称压摆率： | 2 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 0.31 mA | 供电电压上限： | 6 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 3300 kHz |
| 最小电压增益： | 125000 | 宽带： | NO |
| 宽度： | 1.25 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| LMV831MGE | TI | LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A |
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| LMV831MGE | NSC | 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers |
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| LMV831MGE/NOPB | TI | Single, 5.5-V, 3.3-MHz, 64-mA output current, |
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| LMV831MGX | NSC | 3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers |
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| LMV831MGX | TI | LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A |
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| LMV831MGX/NOPB | TI | Single, 5.5-V, 3.3-MHz, 64-mA output current, |
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