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LMV831MGE

更新时间： 2024-11-04 05:42:27
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 运算放大器
页数 文件大小 规格书
20页 1052K
描述
3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

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LMV831MGE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-70包装说明：TSSOP, TSSOP5/6,.08
针数：5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.55放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.0005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.00001 µA最小共模抑制比：75 dB
标称共模抑制比：91 dB频率补偿：YES
最大输入失调电压：1230 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G5
长度：2 mm低-偏置：YES
低-失调：NO微功率：YES
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：5最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP5/6,.08
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：225
功率：NO电源：+-1.35/+-2.75/2.7/5.5 V
可编程功率：NO认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm标称压摆率：2 V/us
子类别：Operational Amplifiers最大压摆率：0.3 mA
供电电压上限：6 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED标称均一增益带宽：3300 kHz
最小电压增益：125000宽带：NO
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

LMV831MGE 数据手册

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October 6, 2008  
LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad  
3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational  
Amplifiers  
General Description  
Features  
National’s LMV831, LMV832, and LMV834 are CMOS input,  
low power op amp IC's, providing a low input bias current, a  
wide temperature range of −40°C to 125°C and exceptional  
performance making them robust general purpose parts. Ad-  
ditionally, the LMV831/LMV832/LMV834 are EMI hardened  
to minimize any interference so they are ideal for EMI sensi-  
tive applications.  
Unless otherwise noted, typical values at TA= 25°C,  
V+ = 3.3V  
Supply voltage  
2.7V to 5.5V  
240 µA  
1 mV max  
0.1 pA  
3.3 MHz  
120 dB  
12 nV/√Hz  
2 V/µs  
■
■
■
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■
■
■
■
Supply current (per channel)  
Input offset voltage  
Input bias current  
GBW  
The unity gain stable LMV831/LMV832/LMV834 feature  
3.3 MHz of bandwidth while consuming only 0.24 mA of cur-  
rent per channel. These parts also maintain stability for ca-  
pacitive loads as large as 200 pF. The LMV831/LMV832/  
LMV834 provide superior performance and economy in terms  
of power and space usage.  
EMIRR at 1.8 GHz  
Input noise voltage at 1 kHz  
Slew rate  
Output voltage swing  
Output current drive  
Rail-to-Rail  
30 mA  
Operating ambient temperature range −40°C to 125°C  
This family of parts has a maximum input offset voltage of  
1 mV, a rail-to-rail output stage and an input common-mode  
voltage range that includes ground. Over an operating range Applications  
from 2.7V to 5.5V the LMV831/LMV832/LMV834 provide a  
PSRR of 93 dB, and a CMRR of 91 dB. The LMV831 is offered  
in the space saving 5-Pin SC70 package, the LMV832 in the  
8-Pin MSOP and the LMV834 is offered in the 14-Pin TSSOP  
package.  
Photodiode preamp  
■
Piezoelectric sensors  
■
■
■
■
Portable/battery-powered electronic equipment  
Filters/buffers  
PDAs/phone accessories  
Typical Application  
EMI Hardened Sensor Application  
30024101  
© 2008 National Semiconductor Corporation  
300241  
www.national.com  
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与LMV831MGE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LMV831MGE/NOPB TI

获取价格

 		Single, 5.5-V, 3.3-MHz, 64-mA output current,
LMV831MGX NSC

获取价格

 		3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers
LMV831MGX TI

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 		LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A
LMV831MGX/NOPB TI

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 		Single, 5.5-V, 3.3-MHz, 64-mA output current,
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 		LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A
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 		LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A
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 		3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers
LMV832MM/NOPB TI

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 		Dual, 5.5-V, 3.3-MHz, low noise (12-nV/√Hz) o
LMV832MME NSC

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 		3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers
LMV832MME TI

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 		LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A

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