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LMC6022IN

更新时间： 2024-02-22 15:28:48
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 运算放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 342K
描述
Low Power CMOS Dual Operational Amplifier

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LMC6022IN 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：WAFER
包装说明：DIE, WAFERReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.55放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK标称共模抑制比：83 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：9000 µV
JESD-30 代码：X-XUUC-N低-偏置：YES
低-失调：NO微功率：YES
负供电电压上限：标称负供电电压 (Vsup)：
功能数量：2最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装等效代码：WAFER
封装形状：UNSPECIFIED封装形式：UNCASED CHIP
电源：5/15 V认证状态：Not Qualified
最小摆率：0.03 V/us标称压摆率：0.11 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：0.165 mA
供电电压上限：16 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER标称均一增益带宽：350 kHz
最小电压增益：20000Base Number Matches：1

LMC6022IN 数据手册

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AC Electrical Characteristics  
−
The following specifications apply for V+ 5V, V  
0V, VCM 1.5V, VO 2.5V, and RL 1M unless other otherwise noted.  
=
=
=
=
=
=
Boldface limits apply at the temperature extremes; all other limits TJ 25˚C.  
LMC6022I  
Limit  
Typical  
(Note 5)  
Symbol  
SR  
Parameter  
Conditions  
(Note 8)  
Units  
(Note 6)  
0.05  
Slew Rate  
0.11  
V/µs  
min  
MHz  
Deg  
dB  
0.03  
GBW  
φM  
Gain-Bandwidth Product  
Phase Margin  
0.35  
50  
GM  
Gain Margin  
17  
Amp-to-Amp Isolation  
Input-Referred Voltage Noise  
(Note 9)  
130  
42  
dB  
=
en  
in  
F
1 kHz  
=
Input-Referred Current Noise  
F
1 kHz  
0.0002  
Note 1: Absolute Maximum Ratings indicate limits beyond which damage to component may occur. Operating Ratings indicate conditions for which the device is in-  
tended to be functional, but do not guarantee specific performance limits. For guaranteed specifications and test conditions, see the Electrical Characteristics. The  
guaranteed specifications apply only for the test conditions listed.  
Note 2: Applies to both single-supply and split-supply operation. Continuous short circuit operation at elevated ambient temperature and/or multiple Op Amp shorts  
±
can result in exceeding the maximum allowed junction temperature of 150˚C. Output currents in excess of 30 mA over long term may adversely affect reliability.  
=
(T  
J(max)  
Note 3: The maximum power dissipation is a function of T  
, θ and T . The maximum allowable power dissipation at any ambient temperature is P  
J(max) JA  
A
D
− T )/θ  
A
.
JA  
Note 4: Human body model, 100 pF discharged through a 1.5 kΩ resistor.  
Note 5: Typical values represent the most likely parametric norm.  
Note 6: All limits are guaranteed by testing or correlation.  
+
=
=
=
7.5V, and R connected to 7.5V. For Sourcing tests, 7.5V ≤ V ≤ 11.5V. For Sinking tests, 2.5V ≤ V ≤ 7.5V.  
Note 7:  
Note 8:  
V
V
15V, V  
CM  
L
O
O
+
15V. Connected as Voltage Follower with 10V step input. Number specified is the slower of the positive and negative slew rates.  
+
=
=
=
13 V  
PP  
Note 9: Input referred. V  
15V and R  
100 kΩ connected to 7.5V. Each amp excited in turn with 1 kHz to produce V  
.
L
O
=
Note 10: For operating at elevated temperatures the device must be derated based on the thermal resistance θ with P  
(T −T )/θ .  
J A JA  
JA  
D
Note 11: All numbers apply for packages soldered directly into a PC board.  
+
+
Note 12: Do not connect output to V when V is greater than 13V or reliability may be adversely affected.  
www.national.com  
4
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