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LMC6022IN

更新时间: 2024-02-13 20:03:10
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美国国家半导体 - NSC 运算放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 342K
描述
Low Power CMOS Dual Operational Amplifier

LMC6022IN 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:WAFER
包装说明:DIE, WAFERReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.55放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK标称共模抑制比:83 dB
频率补偿:YES最大输入失调电压:9000 µV
JESD-30 代码:X-XUUC-N低-偏置:YES
低-失调:NO微功率:YES
负供电电压上限:标称负供电电压 (Vsup):
功能数量:2最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装等效代码:WAFER
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
电源:5/15 V认证状态:Not Qualified
最小摆率:0.03 V/us标称压摆率:0.11 V/us
子类别:Operational Amplifier最大压摆率:0.165 mA
供电电压上限:16 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER标称均一增益带宽:350 kHz
最小电压增益:20000Base Number Matches:1

LMC6022IN 数据手册

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DC Electrical Characteristics (Continued)  
The following specifications apply for V+ 5V, V  
=
=
= = =  
0V, VCM 1.5V, VO 2.5V, and RL 1M unless otherwise noted. Bold-  
=
face limits apply at the temperature extremes; all other limits TJ 25˚C.  
LMC6022I  
Limit  
(Note 6)  
4.40  
4.43  
0.06  
0.09  
4.20  
4.00  
0.25  
0.35  
14.00  
13.90  
0.06  
0.09  
13.70  
13.50  
0.32  
0.40  
13  
Typical  
(Note 5)  
Symbol  
VO  
Parameter  
Conditions  
V+ 5V  
Units  
=
Output Voltage Swing  
4.987  
0.004  
4.940  
0.040  
14.970  
0.007  
14.840  
0.110  
22  
V
min  
V
=
RL 100 kto 2.5V  
max  
V
V+ 5V  
=
=
RL 5 kto 2.5V  
min  
V
max  
V
V+ 15V  
=
=
RL 100 kto 7.5V  
min  
V
max  
V
V+ 15V  
=
=
RL 5 kto 7.5V  
min  
V
max  
mA  
min  
mA  
min  
mA  
min  
mA  
min  
µA  
IO  
Output Current  
V+ 5V  
=
=
Sourcing, VO 0V  
9
=
Sinking, VO 5V  
21  
13  
(Note 2)  
9
V+ 15V  
40  
23  
=
=
Sourcing, VO 0V  
15  
=
Sinking, VO 13V  
39  
23  
(Note 12)  
15  
IS  
Supply Current  
Both Amplifiers  
86  
140  
=
VO 1.5V  
165  
max  
3
www.national.com  

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