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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
运算放大器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 16页 | 303K |  |
| 描述 | ||
| Low Power Dual Operational Amplifiers | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 5.17 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.2 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.15 µA |
| 标称共模抑制比： | 85 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 9000 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 4.9 mm |
| 低-偏置： | NO | 低-失调： | NO |
| 微功率： | YES | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 功率： | NO |
| 电源： | 5 V | 可编程功率： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 最小摆率： | 0.3 V/us | 标称压摆率： | 0.6 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 最大压摆率： | 2 mA |
| 供电电压上限： | 32 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽： | 1100 kHz | 最小电压增益： | 25000 |
| 宽带： | NO | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LM358WDR | ROHM |
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SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers |
|
| LM358WDT | STMICROELECTRONICS |
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Low Power Dual Operational Amplifiers |
|
| LM358WDT | ROHM |
获取价格 |
SILICON MONNOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
|
| LM358WN | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low Power Dual Operational Amplifiers |
|
| LM358WPR | ROHM |
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SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers |
|
| LM358WPT | ROHM |
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SILICON MONNOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
|
| LM358WS | ETC |
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Operational Amplifier |
|
| LM358WSR | ROHM |
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SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers |
|
| LM358WST | ETC |
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Operational Amplifier |
|
| LM358WST | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低功耗双运算放大器 |
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