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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| Factory Lead Time： | 10 weeks | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.2 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.15 µA | 标称共模抑制比： | 85 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电压： | 9000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4.9 mm | 低-偏置： | NO |
| 低-失调： | NO | 微功率： | YES |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 包装方法： | TAPE AND REEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 功率： | NO | 电源： | 5 V |
| 可编程功率： | NO | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 最小摆率： | 0.3 V/us |
| 标称压摆率： | 0.6 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 2 mA | 供电电压上限： | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 1100 kHz |
| 最小电压增益： | 25000 | 宽带： | NO |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LM358WN | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low Power Dual Operational Amplifiers |
|
| LM358WPR | ROHM |
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SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers |
|
| LM358WPT | ROHM |
获取价格 |
SILICON MONNOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
|
| LM358WS | ETC |
获取价格 |
Operational Amplifier |
|
| LM358WSR | ROHM |
获取价格 |
SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers |
|
| LM358WST | ETC |
获取价格 |
Operational Amplifier |
|
| LM358WST | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低功耗双运算放大器 |
|
| LM358WYD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
|
| LM358WYDT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
|
| LM358WYPT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
|
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