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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 6.73 |
| Is Samacsys： | N | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.2 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.15 µA | 标称共模抑制比： | 85 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电压： | 9000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3/e2 |
| 长度： | 4.9 mm | 低-失调： | NO |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LSOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | +-1.5/+-15/3/30 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.54 mm | 标称压摆率： | 0.6 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 最大压摆率： | 2 mA |
| 供电电压上限： | 32 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN/TIN COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 标称均一增益带宽： | 1100 kHz | 最小电压增益： | 25000 |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| LM358DT | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
Low Power Dual Operational Amplifiers |
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| LM358DR | TI |
功能相似 |
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| LM2904DT | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LM358WN | STMICROELECTRONICS |
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Low Power Dual Operational Amplifiers |
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| LM358WPR | ROHM |
获取价格 |
SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers |
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| LM358WPT | ROHM |
获取价格 |
SILICON MONNOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
|
| LM358WS | ETC |
获取价格 |
Operational Amplifier |
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| LM358WSR | ROHM |
获取价格 |
SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers |
|
| LM358WST | ETC |
获取价格 |
Operational Amplifier |
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| LM358WST | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低功耗双运算放大器 |
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| LM358WYD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
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| LM358WYDT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
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| LM358WYPT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
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