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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 120 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 41 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.2 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LH511000-12UL | ETC |
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x8 SRAM |
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| LH511000N-10L | SHARP |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| LH511000N-10LL | SHARP |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| LH511000N-10UL | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| LH511000N-12L | SHARP |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| LH511000N-12LL | SHARP |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| LH511000N-12UL | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| LH511000T-10L | SHARP |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
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| LH511000T-10LL | SHARP |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
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| LH511000T-10UL | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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