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LH511000T-12L

更新时间: 2024-02-15 16:06:23
品牌 Logo 应用领域
夏普 - SHARP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 433K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32

LH511000T-12L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mmBase Number Matches:1

LH511000T-12L 数据手册

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