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LH511000N-10L

更新时间: 2024-10-28 20:30:27
品牌 Logo 应用领域
夏普 - SHARP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 433K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

LH511000N-10L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.6 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.1 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14.1 mm
Base Number Matches:1

LH511000N-10L 数据手册

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