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LH28F400BVB-TL85

更新时间： 2024-02-09 15:16:34

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页数	文件大小	规格书
48页	3485K
描述
x8/x16 Flash EEPROM

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LH28F400BVB-TL85 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	8 X 6 MM, PLASTIC, FBGA-48	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	IT ALSO OPERATES AT MULTIPLE VOLTAGES & ACCESS TIME	备用内存宽度：	16
启动块：	TOP	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	NOR TYPE
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...48

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LH28F400BVE-BL85	SHARP	获取价格	4M Flash Memory
LH28F400BVE-TL85	SHARP	获取价格	4M Flash Memory
LH28F400BVHB-TL85	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
LH28F400BVHE-BL85	SHARP	获取价格	4M Flash Memory
LH28F400BVHE-TL85	SHARP	获取价格	4M Flash Memory
LH28F400SU	SHARP	获取价格	4Mbit(512Kbit x 8, 256 Kbit x 16) 5V Single Voltage Flash Memory
LH28F400SUB	SHARP	获取价格	4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory
LH28F400SUB-Z0	SHARP	获取价格	4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory
LH28F400SUE-LC15	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
LH28F400SUE-LF12	SHARP	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, TSOP1-48