是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 6 X 8 MM, PLASTIC, CSP, FBGA-48 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | IT ALSO OPERATES AT MULTIPLE VOLTAGES & ACCESS TIME |
备用内存宽度: | 16 | 启动块: | TOP |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
编程电压: | 2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LH28F400BVHE-BL85 | SHARP |
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4M Flash Memory |
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LH28F400BVHE-TL85 | SHARP |
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4M Flash Memory |
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LH28F400SU | SHARP |
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4Mbit(512Kbit x 8, 256 Kbit x 16) 5V Single Voltage Flash Memory |
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LH28F400SUB | SHARP |
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4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory |
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LH28F400SUB-Z0 | SHARP |
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4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory |
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LH28F400SUE-LC15 | ETC |
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x8/x16 Flash EEPROM |
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LH28F400SUE-LF12 | SHARP |
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Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, TSOP1-48 |
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LH28F400SUE-LF15 | SHARP |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 150ns, PDSO48, TSOP1-48 |
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LH28F400SUE-NC60 | SHARP |
获取价格 |
4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory |
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LH28F400SUE-NC80 | SHARP |
获取价格 |
4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory |
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