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LH28F400BVE-TL85

更新时间： 2024-02-05 11:12:40

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LH28F400BVE-TL85 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	12 X 20 MM, 1.2 MM HEIGHT, PLASTIC, TSOP-48
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	IT ALSO OPERATES AT MULTIPLE VOLTAGES & ACCESS TIME
备用内存宽度：	16	启动块：	TOP
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	18.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

PRODUCT SPECIFICATIONS

Integrated Circuits Group

LH28F400BVE-TL85

4M Flash Memory

(Model No.: LHF40V01)

Spec No.: EL106074A

Issue Date: July 28, 1998

12 3 4 5 6 7...48

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LH28F400BVHB-TL85	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
LH28F400BVHE-BL85	SHARP	获取价格	4M Flash Memory
LH28F400BVHE-TL85	SHARP	获取价格	4M Flash Memory
LH28F400SU	SHARP	获取价格	4Mbit(512Kbit x 8, 256 Kbit x 16) 5V Single Voltage Flash Memory
LH28F400SUB	SHARP	获取价格	4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory
LH28F400SUB-Z0	SHARP	获取价格	4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory
LH28F400SUE-LC15	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
LH28F400SUE-LF12	SHARP	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, TSOP1-48
LH28F400SUE-LF15	SHARP	获取价格	Flash, 512KX8, 150ns, PDSO48, TSOP1-48
LH28F400SUE-NC60	SHARP	获取价格	4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory