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LH28F400BVE-BL85

更新时间： 2024-09-22 22:27:47

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LH28F400BVE-BL85 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	12 X 20 MM, 1.2 MM HEIGHT, PLASTIC, TSOP-48
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	IT ALSO OPERATES AT MULTIPLE VOLTAGES & ACCESS TIME	备用内存宽度：	16
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

PRODUCT SPECIFICATIONS

Integrated Circuits Group

LH28F400BVE-BL85

4M Flash Memory

(Model No.: LHF40V11)

Spec No.: EL106096

Issue Date: June 18, 1998

12 3 4 5 6 7...47

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LH28F400BVE-TL85	SHARP	获取价格	4M Flash Memory
LH28F400BVHB-TL85	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
LH28F400BVHE-BL85	SHARP	获取价格	4M Flash Memory
LH28F400BVHE-TL85	SHARP	获取价格	4M Flash Memory
LH28F400SU	SHARP	获取价格	4Mbit(512Kbit x 8, 256 Kbit x 16) 5V Single Voltage Flash Memory
LH28F400SUB	SHARP	获取价格	4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory
LH28F400SUB-Z0	SHARP	获取价格	4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory
LH28F400SUE-LC15	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
LH28F400SUE-LF12	SHARP	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, TSOP1-48
LH28F400SUE-LF15	SHARP	获取价格	Flash, 512KX8, 150ns, PDSO48, TSOP1-48