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LDTS48

更新时间: 2024-10-27 22:31:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 72K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

LDTS48 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-MBFM-P2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.68最小击穿电压:53 V
击穿电压标称值:53 V外壳连接:ANODE
最大钳位电压:86 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-50 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:50 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:48 V
最大反向电流:100 µA子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

LDTS48 数据手册

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