是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.66 | 最小击穿电压: | 16 V |
击穿电压标称值: | 16 V | 外壳连接: | ANODE |
最大钳位电压: | 23.5 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 3000 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -50 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 50 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 14 V |
最大反向电流: | 100 µA | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LDTS14AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 14V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO- | |
LDTS14E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 14V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO- | |
LDTS24 | MICROSEMI |
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TRANSIENT ABSORPTION ZENER | |
LDTS24A | MICROSEMI |
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TRANSIENT ABSORPTION ZENER | |
LDTS24AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO- | |
LDTS24E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO- | |
LDTS30 | MICROSEMI |
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TRANSIENT ABSORPTION ZENER | |
LDTS30A | MICROSEMI |
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TRANSIENT ABSORPTION ZENER | |
LDTS30AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO- | |
LDTS48 | MICROSEMI |
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TRANSIENT ABSORPTION ZENER |