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LAE4001R

更新时间: 2024-10-18 22:31:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管微波放大器
页数 文件大小 规格书
8页 50K
描述
NPN microwave power transistor

LAE4001R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:MICROWAVE, O-CRMW-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.65Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):0.08 A集电极-发射极最大电压:16 V
配置:SINGLE最高频带:S BAND
JESD-30 代码:O-CRMW-F4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:MICROWAVE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

LAE4001R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
LAE4001R  
NPN microwave power transistor  
1997 Feb 18  
Product specification  
Supersedes data of June 1992  
File under Discrete Semiconductors, SC15  

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