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LAE4002S

更新时间: 2024-10-18 22:31:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管微波
页数 文件大小 规格书
8页 50K
描述
NPN microwave power transistor

LAE4002S 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:MICROWAVE, S-CQMW-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY, DIFFUSED EMITTER BALLAST RESISTOR
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):0.09 A
集电极-发射极最大电压:16 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最高频带:S BANDJESD-30 代码:S-CQMW-F4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:SQUARE
封装形式:MICROWAVE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:QUAD
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

LAE4002S 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
LAE4002S  
NPN microwave power transistor  
1997 Feb 18  
Product specification  
Supersedes data of June 1992  
File under Discrete Semiconductors, SC15  

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