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LAE4001RA

更新时间: 2024-10-19 21:16:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 127K
描述
TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

LAE4001RA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:MICROWAVE, S-CQMW-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.78外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):0.08 A集电极-发射极最大电压:16 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
最高频带:S BANDJESD-30 代码:S-CQMW-F4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:SQUARE封装形式:MICROWAVE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.48 W
最小功率增益 (Gp):8.5 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:QUAD晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

LAE4001RA 数据手册

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