是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 256 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.3 |
HTS代码: | 8542.31.00.01 | 风险等级: | 5.88 |
其他特性: | ALSO OPERATES AT 1.8V SUPPLY AT 50 MHZ | 地址总线宽度: | |
位大小: | 32 | 边界扫描: | YES |
最大时钟频率: | 85 MHz | 外部数据总线宽度: | |
格式: | FIXED POINT | 集成缓存: | YES |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B256 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 27 mm | 低功率模式: | YES |
端子数量: | 256 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码: | BGA | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.3 mm |
速度: | 85 MHz | 最大供电电压: | 2.63 V |
最小供电电压: | 2.38 V | 标称供电电压: | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 27 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROPROCESSOR, RISC |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L9D112G80BG4 | LOGIC |
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1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module | |
L9D112G80BG4E10 | LOGIC |
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1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module | |
L9D112G80BG4E6 | LOGIC |
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1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module | |
L9D112G80BG4E75 | LOGIC |
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1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module | |
L9D112G80BG4E8 | LOGIC |
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1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module | |
L9D112G80BG4I10 | LOGIC |
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1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module | |
L9D112G80BG4I6 | LOGIC |
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1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module | |
L9D112G80BG4I75 | LOGIC |
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1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module | |
L9D112G80BG4I8 | LOGIC |
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1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module | |
L9D112G80BG4M10 | LOGIC |
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1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |