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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | DMA | 包装说明： | BGA, BGA219,16X16,50 |
| 针数： | 219 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.69 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.8 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | S-XDMA-N219 |
| 长度： | 25 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 219 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA219,16X16,50 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 2.5 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 最大待机电流： | 0.025 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 1.7 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 25 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| L9D112G80BG4M6 | LOGIC | 1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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| L9D112G80BG4M75 | LOGIC | 1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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| L9D112G80BG4M8 | LOGIC | 1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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| L9D125G80BG4 | LOGIC | 2.5 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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| L9D125G80BG4E10 | LOGIC | 2.5 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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| L9D125G80BG4E6 | LOGIC | 2.5 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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