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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | DMA | 包装说明： | BGA, BGA219,16X16,50 |
| 针数： | 219 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.75 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | S-XDMA-N219 | 长度： | 25 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 219 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 16MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA219,16X16,50 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 2.5 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.025 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.92 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 25 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| L9D112G80BG4I8 | LOGIC | 1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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|
| L9D112G80BG4M10 | LOGIC | 1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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| L9D112G80BG4M6 | LOGIC | 1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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|
| L9D112G80BG4M75 | LOGIC | 1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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|
| L9D112G80BG4M8 | LOGIC | 1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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|
| L9D125G80BG4 | LOGIC | 2.5 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module |
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