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L7C199TC25L

更新时间: 2024-11-16 20:23:23
品牌 Logo 应用领域
逻辑 - LOGIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 476K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

L7C199TC25L 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CQCC-N32JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.048 mm
最大待机电流:0.000075 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

L7C199TC25L 数据手册

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