是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, LCC32,.45X.55 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.27 |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC32,.45X.55 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 3.048 mm |
最大待机电流: | 0.000075 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 11.43 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L7C199TMB35 | ETC |
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x8 SRAM | |
L7C199TMB35L | ETC |
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x8 SRAM | |
L7C199TME20 | LOGIC |
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Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 | |
L7C199TME-20 | ETC |
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x8 SRAM | |
L7C199TME-25 | ETC |
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x8 SRAM | |
L7C199TME35 | LOGIC |
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Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 | |
L7C199TME-35 | ETC |
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x8 SRAM | |
L7C199TME-45 | ETC |
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x8 SRAM | |
L7C199VC15 | LOGIC |
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Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.340 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
L7C199VC-15 | ETC |
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x8 SRAM |