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L7C199WC15L

更新时间: 2024-01-24 13:54:38
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 480K
描述
x8 SRAM

L7C199WC15L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ28,.34
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.57Is Samacsys:N
最长访问时间:15 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER OPERATION; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0长度:17.91 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.556 mm
最大待机电流:0.0002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.18 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.5057 mmBase Number Matches:1

L7C199WC15L 数据手册

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