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L7CL185CMB12

更新时间: 2024-01-24 14:08:21
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逻辑 - LOGIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 819K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

L7CL185CMB12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.3针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-GDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:36.83 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.225 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

L7CL185CMB12 数据手册

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