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L7CL185HC10

更新时间： 2024-11-16 20:35:43

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	819K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28

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L7CL185HC10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	35.56 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.953 mm
最大待机电流：	0.00005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L7CL185HC12	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7CL185HC15	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7CL185HC20	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7CL185HC25	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7CL185HC35	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7CL185HM12	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7CL185HM15	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7CL185HM20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7CL185HM25	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7CL185HM35	ETC	获取价格	x8 SRAM