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L7C199TME20

更新时间： 2024-09-28 19:21:47

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	290K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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L7C199TME20 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	20 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)
座面最大高度：	3.048 mm	最大待机电流：	0.005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L7C199TME-20	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C199TME-25	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C199TME35	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
L7C199TME-35	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C199TME-45	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C199VC15	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.340 INCH, PLASTIC, SOIC-28
L7C199VC-15	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C199VC20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.340 INCH, PLASTIC, SOIC-28
L7C199VC-20	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C199VC-25	ETC	获取价格	x8 SRAM